上海電力大學(xué)2023碩士研究生考研復(fù)試大綱已經(jīng)出爐了！其中F046集成電路設(shè)計基礎(chǔ)的考試大綱具體內(nèi)容如下，考試范圍分為十大部分，報考上海電力大學(xué)相關(guān)專業(yè)的同學(xué)們趕緊看過來吧。
2023上海電力大學(xué)F046集成電路設(shè)計基礎(chǔ)考研復(fù)試范圍
　?、裰饕獜?fù)習(xí)內(nèi)容
　　一、集成電路設(shè)計概論
　　集成電路發(fā)展歷程、分類、設(shè)計方法、主流制造技術(shù)、設(shè)計開發(fā)主流程、常用術(shù)語及概念。
　　二、MOS器件原理與特性
　　MOS場效應(yīng)晶體管的工作原理、電特性、模型和基本模型參數(shù)、MOS器件技術(shù)的發(fā)展與挑戰(zhàn)。
　　三、CMOS邏輯部件
　　CMOS倒相器設(shè)計方法、常見CMOS邏輯門的原理與設(shè)計方法。
　　四、MOS集成電路制造工藝基礎(chǔ)
　　集成電路工藝環(huán)境、集成電路基本加工工藝、CMOS基本工藝流程。
　　五、集成電路設(shè)計與工藝接口及版圖設(shè)計基礎(chǔ)
　　設(shè)計與工藝接口問題及工藝對設(shè)計的制約、版圖設(shè)計中電學(xué)設(shè)計規(guī)則與幾何設(shè)計規(guī)則的基礎(chǔ)、工藝檢查與監(jiān)控。
　　六、晶體管規(guī)則陣列設(shè)計
　　全NMOS結(jié)構(gòu)的ROM電路設(shè)計及版圖、MOS晶體管開關(guān)邏輯電路及應(yīng)用、PLA電路設(shè)計及應(yīng)用、門陣列電路和版圖設(shè)計。
　　七、單元庫設(shè)計技術(shù)
　　單元庫概念、常見標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計（反相器、輸入、輸出單元）。
　　八、常用微處理器單元
　　常用微處理器單元的電路圖及工作原理。
　　九、集成電路測試技術(shù)與可測試性技術(shù)
　　集成電路故障模型、測試矢量生成、可測試性技術(shù)概念。
　　十、模擬單元與變換電路
　　模擬集成電路基本單元、基本偏置電路、放大電路。
　　Ⅱ復(fù)習(xí)的總體要求
　　本課程以硅集成電路為基礎(chǔ)，要求全面掌握有關(guān)集成電路設(shè)計的專業(yè)基礎(chǔ)知識，重點是集成電路設(shè)計概論、MOS器件原理與特性、CMOS邏輯部件、MOS集成電路制造工藝基礎(chǔ)、集成電路設(shè)計與工藝接口及版圖設(shè)計基礎(chǔ)、晶體管規(guī)則陣列設(shè)計、集成電路版圖設(shè)計、單元庫設(shè)計技術(shù)、常用微處理器單元、集成電路測試技術(shù)與可測試性技術(shù)、模擬單元與變換電路。
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　　1.李偉華，VLSI設(shè)計基礎(chǔ)（第三版），北京：電子工業(yè)出版社，2013.6。
　　2.郝躍，微電子概論（第2版），北京：電子工業(yè)出版社，2011.6。
　　以上內(nèi)容來源：上海電力大學(xué)研究生院。
　　最后，關(guān)于2023上海電力大學(xué)F046集成電路設(shè)計基礎(chǔ)考研復(fù)試范圍的內(nèi)容，小編就給大家簡單介紹到這里了。如果還有其他考研考試相關(guān)內(nèi)容想要了解的，就請登錄高頓考研頻道看看吧。
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