目前天津理工大學集成電路科學與工程學院暫未公布半導體物理考研大綱，為了幫助考生們備考，小編為大家整理出23年天津理工大學821半導體物理考研大綱信息，有意向報考天津理工大學的同學們快來看看吧！希望能為大家備考提供參考。
天津理工大學821半導體物理考研大綱公布
　　一、考試方式
　　考試采用筆試方式，考試時間為180分鐘，試卷滿分為150分。
　　二、試卷結構與分數比重
　　試題分為名詞解釋、簡答題、證明題、計算題、論述題等。其中：名詞解釋占20%，簡答題占30%，證明題占10%，計算題占10%，論述題占30%。
　　三、考查的知識范圍
　　1．半導體中的電子狀態(tài)（10％）：能帶論，半導體中的電子運動、有效質量，本征半導體的導電機制、空穴，鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。
　　2．載流子的統(tǒng)計分布（15％）：狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質半導體的載流子濃度。一般情況下的載流子的統(tǒng)計分布。
　　3．半導體的導電性（15％）：載流子的漂移運動，載流子的散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，玻爾茲曼方程；強電場效應，熱載流子。
　　4．非平衡載流子（20％）：非平衡載流子的注人與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動、連續(xù)性方程。
　　5．PN結（15％）：PN結及其能帶圖，PN結電流電壓特性。
　　6．金屬和半導體的接觸（10％）：金屬和半導體接觸的整流理論，少數載流子的注入，歐姆接觸。
　　7．半導體表面與MIS結構（15％）：表面電場效應，理想與非理想的MIS結構的C-V特性，Si-SiO2系統(tǒng)的性質，表面電導。
　　四、參考書目
　　《半導體物理學》（第7版），劉恩科主編，電子工業(yè)出版社
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