天津大學微電子學與固體電子學綜合2023年考研復試大綱已經(jīng)發(fā)布，包含了考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結(jié)構(gòu)等重要信息，對考生具有重大的參考意義。高頓考研為大家整理了天津大學微電子學與固體電子學綜合2023年考研復試大綱的詳細內(nèi)容，供大家參考！
復試科目：微電子學與固體電子學綜合
本復試考試由兩部分組成，請考生根據(jù)自己的具體情況任選一部分進行答題。
第一部分：半導體集成電路復試大綱（參加微電子學復試的考生參考）
一、考試的總體要求
"半導體集成電路"是微電子技術專業(yè)的主干課程。本大綱包括"半導體特種效應"、"數(shù)字集成電路"。目的是考察考生對基本理論知識、基本技能及分析問題和解決問題的能力。
二、考試內(nèi)容及比例
（一）半導體特種效應
1、半導體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及能帶圖，異質(zhì)結(jié)鍺硅雙極晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點與原因，高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點與原因；
2、半導體光學性質(zhì)：半導體光吸收，半導體光電探測器，半導體太陽電池，半導體發(fā)光概念與應用，半導體激光基本原理；
3、半導體霍爾效應、半導體熱電效應及其應用。
（二）數(shù)字集成電路
1、MOS反相器及基本邏輯單元：CMOS反相器、動態(tài)反相器、反相器鏈的延時、NMOS邏輯、偽NMOS邏輯、傳輸管邏輯、傳輸門邏輯等。
2、導線模型及寄生參數(shù)：導線的互連參數(shù)、集總式模型、分布式模型、Elmore延時。
3、CMOS組合邏輯門的設計：靜態(tài)CMOS組合邏輯、動態(tài)CMOS組合邏輯、多米諾邏輯、大扇入組合邏輯的優(yōu)化技術等。
4、時序邏輯電路設計：靜態(tài)鎖存器和寄存器、動態(tài)鎖存器和寄存器、流水線、施密特觸發(fā)器、非雙穩(wěn)時序電路等。
5、數(shù)字電路中的時序問題：數(shù)字系統(tǒng)的時序分類、同步設計、自定時電路、時鐘的不確定性、同步器等。
6、設計運算功能單元：數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路、加法器、乘法器、移位器等。
三、參考書目
1、半導體物理學，（第七版），劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。
2、半導體物理與器件，美Neamen著，趙毅強等譯，電子工業(yè)出版社；
3、數(shù)字集成電路--電路、系統(tǒng)與設計，周潤德等譯，電子工業(yè)出版社。
第二部分：薄膜電子技術復試大綱（參加固體電子學專業(yè)復試的考生參考）
一、考試的總體要求
"薄膜電子技術"是微電子學與固體電子學專業(yè)的主干課程。本課程的考試目的是考察學生對基本理論知識、基本技能的掌握情況，考察學生分析問題解決問題的能力。
二、考試內(nèi)容
1、薄膜的制備技術：
1)真空技術基礎：真空的基本知識，真空的獲得，真空度的表征和檢測。
2)物理氣相沉積鍍膜技術：真空蒸發(fā)鍍膜原理，蒸發(fā)源類型及原理，蒸發(fā)特性及參數(shù)，合金及化合物蒸發(fā)。濺射鍍膜類型及原理、特點，濺射特性參數(shù)。離子鍍膜原理、特點。
3)化學氣相沉積鍍膜技術：
不同類型化學氣相沉積鍍膜方法原理及特點常壓化學氣相沉積，低壓化學氣相沉積，等離子增強化學氣相沉積，有機金屬化學氣相沉積，光化學氣相沉積。
4)溶液鍍膜法：
化學鍍，溶膠-凝膠法，LB膜的制備原理和特點。
2、薄膜形成理論：
1）薄膜的形成過程,薄膜的形成與生長形式。熱適應系數(shù)，熱力學界面能理論，原子聚集理論。
2）薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷：薄膜的組織結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)，薄膜的缺陷及產(chǎn)生機理。
3、薄膜結(jié)構(gòu)與化學組分檢測方法：
X射線衍射法，掃描電子顯微鏡法，X射線光電子能譜法，檢測原理與特點。
三、參考書目
薄膜物理與技術，楊邦朝等，電子科技大學出版社。
文章來源：天津大學研究生院官網(wǎng)